时间：9月26日（周四）晚上19：30—20：30

地点：工程大楼550

题目：Microstructures and deformation mechanisms of Al-Alumina multilayers prepared by an integrated PVD-ALD deposition system

主讲人：谢添乐

主讲人简介：

谢添乐，湖南大学材料学院2016级博士生，导师为周灵平教授和符立才教授，与2018年9月至2019年8月在瑞士联邦材料科学与技术研究所Mechanics of Materials & Nanostructures实验室进行为期一年的国家公派博士联合培养，瑞士导师为Johann Michler和Laszlo Pethö。曾主持2018年湖南省研究生创新基金项目，参与国家自然科学基金项目2项，以在国内第一作者发表SCI论文3篇，在瑞士联邦材料科学与技术研究所留学期间参与3项课题，与Johann Michler和Laszlo Pethö课题组多位博士后合作，并有5篇SCI论文在撰写当中。

内容提要：

薄膜材料是指厚度介于单原子到几毫米间的薄金属或有机物层，已经广泛应用于电子半导体功能器件（薄膜电阻，绝缘层，导热，导电层，超硬涂层），光学器件（消反射膜，减反射膜，自清洁表面等）、电子技术，机械，印刷等行业。物理气相沉积法（PVD）与原子层沉积法（ALD）是制备薄膜最常用的手段，由于两种沉积方法的工作气压和工作原理差异较大，目前很少有学者在不破坏真空的条件下将两种方法结合共同制备多层膜；另外，大多数研究表明在纳米多层膜中，若多层膜子层的结构差异大，各个子层界面间往往是非共格的，即某一子层的晶粒生长会被另一子层所打断，但阻挡晶粒连续生长的临界厚度并不知晓。且采用PVD制备薄膜时，薄膜沉积前期存在岛状以及晶粒合并阶段，很难制备厚度小于5nm，均匀连续的薄膜。最后，ALD技术沉积多层膜的机理阐述已经很成熟，但仍缺乏实验的证据证明ALD技术能够精确控制薄膜的厚度（精度在原子水平或分子水平）。基于此，本课题采用PVD和ALD技术联合制备Al-Alumina多层膜，探索出了Alumina层打断Al层晶粒生长的临界厚度，也为ALD技术能够精确控制薄膜厚度提供了实验依据，对薄膜沉积这一领域有一定的指导意义。