一、课程概况：

    本次课程：4天授课，分别在：12月2日、8日、16日、23日。

    课程内容：将从MOS电容的应用：制造、测量技术，建模、参数提取，性能调控；到MOSFET(金属/氧化物/半导体-场效应晶体管)1 µm至28 nm微缩技术：包括静电问题和技术解决方案；再到先进SOI MOSFET与FinFET(鳍式场效应晶体管)器件：涉及28nm及以下 CMOS技术工艺的优势与难点，与器件性能；最后，将晶体管应用拓展至高压高频领域：包括JFET(结型场效应晶体管)、MESFET(金属/半导体场效应晶体管)、VDMOS(垂直扩散场效应晶体管)和LDMOS(横向扩散场效应晶体管)等器件。

课程基础：具备《固体物理》、《半导体物理》、《电子器件基础》等半导体物理、电子器件或集成电路的相关基础知识。

  二、教授简介：

    Denis Flandre，比利时，法语[新]鲁汶大学(Université catholique de Louvain)，电子工程，教授。多年来，从事半导体电子器件与集成电路领域的教学科研工作；教学经验丰富，科研成果突出。Flandre教授，总计发表1000余篇学术论文/著作：包括独立编写5本专著、参与28本书籍编著；拥有12项欧洲发明实用型专利；创立1家电子产业公司CISSOID、任职3家科技公司顾问（Incize、e-Peas、VOCSens）；主持多项欧盟科研课题；等。目前研究方向包括：半导体数字模拟与集成电路，MOS器件，传感器和MEMS，以及高速、低压低功率、微波、生物医学、辐射硬化、高温电子和微系统等特殊应用与研发领域。

   三、时间安排：

    1. 12月02日（星期三），16:00-18:35，MOS capacitor applications : fabrication, measurement techniques, modelling, parameters extraction, quality control.

   腾讯会议ID：721 774 954

    2. 12月08日（星期二），16:00-18:35，Scaling the bulk MOSFET from 1 µm to 28 nm : electrostatic problems and technological solutions.

    腾讯会议 ID：281 741 616

    3. 12月16日（星期三），16:00-18:35，Advanced SOI MOSFETs and FinFETs : scaling CMOS below 28 nm, advantages and difficulties, performance of interest.

    腾讯会议 ID：927 657 941

    4.  12月23日（星期三），16:00-18:35，Pushing the transistors to higher voltages and frequencies : the JFET, MESFET, VDMOS and LDMOS devices.

    腾讯会议 ID：329 867 309

   四、校内联系人：

物理与微电子科学学院：李国立

QQ：775650245，Email: liguoli_lily@hnu.edu.cn

欢迎高年级本科生、硕士研究生及博士生、或青年教师，参与线上听课！

为方便线上课堂交流与课程资料共享，请加入课程交流QQ群854731855：